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英特尔公布三项黑科技 开启高性能芯片架构新领

美国英特尔于9日(美国光阴)在旧金山举行的“SEMICON West”上宣布了三项与封装技巧相关的新科技。

第一种是“Co-EMIB”技巧,它结合了英特尔的封装技巧“EMIB(嵌入式多芯片互连桥接器)”和“Foveros”技巧,此中逻辑是三维堆叠的。

EMIB和Foveros应用高密度互连来实现低功耗,高带宽的芯片到芯片连接。在英特尔,I / O密度与竞争对手的措施类似或更好。

Co-EMIB这次发布将能够结合更高的谋略机能和功能,分外是在单个芯片中实现多个Foveros客栈并将它们互连。您还可以应用高带宽和超低功耗连接模拟,内存和其他“磁贴”。

第二个“全向互连(ODI)”为封装中芯片之间的通信供给了额外的机动性,该技巧容许顶部芯片与EMIB等其他芯片组合。与Foveros一样,可以进行平行通信,也可以经由过程基础芯片中的硅通孔(TSV)进行垂纵贯信。

使用ODI,可以经由过程应用大年夜于传统TSV来直接从封装衬底向顶部管芯供电,并且因为通孔很大年夜,是以电阻低,同时在供给强大年夜功率的同时实现更宽的带宽和延迟。别的,由于可以削减基管芯所需的TSV的数量,以是可以进一步确保晶体管的面积,并且可以优化管芯尺寸。

第三个“MDIO”是基于AIB(高档接口总线)PHY级互连的新型管芯间接口。尖端IP块库用于实现模块化系统设计措施。这供给了更好的功率效率,并且是AIB的引脚速率和带宽密度的两倍以上。

英特尔先辈的封装技巧可实现多芯片与多种工艺技巧的集成,而不是将多种功能集成到单个传统芯片中,芯片的物理尺寸有限听说可以在改良机能,功耗和封装面积的同时从新思虑系统架构。

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